一種殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，包括安裝于流體介質(zhì)輸送管道上的被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器、用于改變和檢測(cè)被處理介質(zhì)物理場(chǎng)參數(shù)的物理場(chǎng)發(fā)生器和物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器、安裝于被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器流入和流出管道上的介質(zhì)流入執(zhí)行器和介質(zhì)流出執(zhí)行器以及中央控制器，中央控制器分別與物理場(chǎng)發(fā)生器、物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器、介質(zhì)流入執(zhí)行器和介質(zhì)流出執(zhí)行器通訊連接。本實(shí)用新型通過物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器的檢測(cè)和反饋，并通過中央控制器的自動(dòng)控制，實(shí)現(xiàn)在線對(duì)被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，改變軍團(tuán)菌在被處理介質(zhì)中的生存和繁殖環(huán)境，實(shí)現(xiàn)了100％殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌，無次生污染排放并且實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化操作。
【專利說明】一種殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及殺滅軍團(tuán)菌【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的
>J-U ρ?α裝直。

【背景技術(shù)】
[0002]1976年美國費(fèi)城退伍軍人協(xié)會(huì)會(huì)員中曾爆發(fā)急性發(fā)熱性呼吸道疾病，是已知的首次爆發(fā)，有221人感染疾病，其中34人死亡。由于大多的死者都是軍團(tuán)成員，因此稱為軍團(tuán)病或退伍軍人癥。追溯研究發(fā)現(xiàn)早在1943年即有軍團(tuán)病的病例，之后將研究這些病例發(fā)現(xiàn)的細(xì)菌命名為嗜肺軍團(tuán)菌，隨后的許多相關(guān)細(xì)菌暫被列入這一屬。現(xiàn)已提出了超過30種軍團(tuán)桿菌，至少19種是人類肺炎的病原體。其中最常見的病原體為嗜肺軍團(tuán)菌(占病例的85% -90% )，其次是 L.micdadei (占 5% -10% )，再次是 L.bozemanii 和 L.dumoffii,此類細(xì)菌形態(tài)相似，具有共同的生化特征，引起類似疾病。軍團(tuán)病占需住院治療的社區(qū)獲得性肺炎的1% _8%，占致死性醫(yī)院內(nèi)獲得性肺炎的4%左右，大多數(shù)病例為散發(fā)性，多發(fā)生于夏末和秋初。
[0003]人工供水系統(tǒng)能為軍團(tuán)桿菌的大量繁殖提供生存環(huán)境，如淋浴器、礦泉池、噴泉以及空調(diào)設(shè)備的冷卻水塔。我國在2003發(fā)生非典引發(fā)全社會(huì)對(duì)空調(diào)軍團(tuán)菌的關(guān)注，2006年禽流感后，衛(wèi)生部出臺(tái)《集中空調(diào)衛(wèi)生管理辦法》和《公共場(chǎng)所集中空調(diào)通風(fēng)系統(tǒng)衛(wèi)生規(guī)范》，要求在冷卻循環(huán)水系統(tǒng)和冷凝水中不得檢出嗜肺軍團(tuán)菌。但在工程項(xiàng)目從設(shè)計(jì)到后期運(yùn)營，均無相關(guān)處理措施。目前我國70%以上的中央空調(diào)冷卻循環(huán)水系統(tǒng)中均檢測(cè)出嗜肺軍團(tuán)菌。隨著我國城鎮(zhèn)化建設(shè)的發(fā)展，生活二次供水、生活熱媒集中供應(yīng)、集中式供暖和空調(diào)系統(tǒng)的普遍應(yīng)用，軍團(tuán)菌的存在嚴(yán)重威脅著公共衛(wèi)生安全。
[0004]現(xiàn)有的殺滅軍團(tuán)菌的方法有化學(xué)殺菌法、紫外線殺菌法、薄膜過濾法等。傳統(tǒng)的化學(xué)殺菌法大多采用氯、二氧化氯、氯化鈉、次氯酸鈣溶劑殺菌，并在使用這些化學(xué)品之前必須先清洗水管，所以此方法不僅操作復(fù)雜，而且腐蝕介質(zhì)導(dǎo)流設(shè)備，并且還存在介質(zhì)排放造成次生污染的缺陷。紫外線殺菌法通過照射短波(如波長254納米)紫外線可以使病菌無法活躍，但病菌可能存在于變形蟲里。薄膜過濾法一般可以利用薄膜的微孔將直徑小于0.2納米的顆粒(包括細(xì)菌、甚至部分病毒)過濾掉。紫外線殺菌法和薄膜過濾法均是將軍團(tuán)菌轉(zhuǎn)移而不能徹底根除，存在危害環(huán)境的問題。
[0005]由此可見，上述現(xiàn)有的軍團(tuán)菌殺滅方法顯然仍存在有很多缺陷，亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。如何能創(chuàng)設(shè)一種徹底殺滅軍團(tuán)菌、對(duì)環(huán)境不造成次生污染且操作簡(jiǎn)便的殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0006]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種能徹底殺滅軍團(tuán)菌且對(duì)環(huán)境不造成次生污染的殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，使其克服現(xiàn)有的殺滅軍團(tuán)菌裝置的不足。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，包括安裝于流體介質(zhì)輸送管道上的被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器、用于改變被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器內(nèi)被處理介質(zhì)物理場(chǎng)參數(shù)的物理場(chǎng)發(fā)生器、用于檢測(cè)被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器內(nèi)被處理介質(zhì)中物理場(chǎng)參數(shù)的物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器、分別安裝于所述被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器流入和流出管道上的介質(zhì)流入執(zhí)行器和介質(zhì)流出執(zhí)行器、以及中央控制器，所述中央控制器分別與物理場(chǎng)發(fā)生器、物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器、介質(zhì)流入執(zhí)行器和介質(zhì)流出執(zhí)行器通訊連接。
[0008]作為進(jìn)一步改進(jìn)，所述物理場(chǎng)發(fā)生器還連接物理場(chǎng)傳輸器，物理場(chǎng)傳輸器設(shè)置在所述被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器周圍，所述物理場(chǎng)發(fā)生器結(jié)合物理場(chǎng)傳輸器改變被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器內(nèi)被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)。
[0009]進(jìn)一步改進(jìn)，所述物理場(chǎng)發(fā)生器為電場(chǎng)磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換發(fā)生器，所述物理場(chǎng)傳輸器為高溫云母線，云母線的兩端分別接在電場(chǎng)磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換發(fā)生器的輸出端，且所述云母線纏繞在所述被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器周圍。
[0010]或者，所述物理場(chǎng)發(fā)生器為高溫?zé)崦捷斔推鳎鑫锢韴?chǎng)傳輸器為換熱器。
[0011]進(jìn)一步改進(jìn)，所述中央控制器為可編程邏輯控制器。
[0012]進(jìn)一步改進(jìn)，所述被處理介質(zhì)為水或空氣。
[0013]進(jìn)一步改進(jìn)，所述物理場(chǎng)參數(shù)為軍團(tuán)菌在被處理介質(zhì)中的生存和繁殖環(huán)境的物理場(chǎng)溫度、磁場(chǎng)或頻率參數(shù)。
[0014]進(jìn)一步改進(jìn)，所述被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器為保溫型防腐儲(chǔ)存器。
[0015]采用上述的技術(shù)方案，本實(shí)用新型至少具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0016](I)本實(shí)用新型殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置通過物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器的檢測(cè)和反饋，并通過中央控制器的自動(dòng)控制，實(shí)現(xiàn)在線對(duì)被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，改變軍團(tuán)菌在被處理介質(zhì)中的生存和繁殖環(huán)境，不僅實(shí)現(xiàn)了流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌100%殺滅，不會(huì)發(fā)生軍團(tuán)菌病菌的轉(zhuǎn)移，并且實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化操作。
[0017](2)本實(shí)用新型中流體介質(zhì)始終處于全封閉狀態(tài)，且殺滅軍團(tuán)菌的方法屬于物理滅菌法，不會(huì)造成對(duì)環(huán)境的次生污染。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]上述僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，以下結(jié)合附圖與【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。
[0019]圖1是本實(shí)用新型殺滅軍團(tuán)菌裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]本實(shí)用新型殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置安裝在現(xiàn)有的流體介質(zhì)輸送管道上，通過改變被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)如溫度、磁場(chǎng)或頻率等，破壞軍團(tuán)菌的生存、繁殖環(huán)境，實(shí)現(xiàn)殺滅流體介質(zhì)中存活的軍團(tuán)菌。流體介質(zhì)可以為水、空氣等介質(zhì)。
[0021]請(qǐng)參閱圖1所示，本實(shí)用新型殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置包括中央控制器1、物理場(chǎng)發(fā)生器2、物理場(chǎng)傳輸器3、被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4、物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器5、介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7。中央控制器I可以為PLC可編程邏輯控制器，具有物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)、流體介質(zhì)輸送狀態(tài)控制和自動(dòng)運(yùn)行控制功能。中央控制器I與物理場(chǎng)發(fā)生器2、物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器5、介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7通訊連接。物理場(chǎng)傳輸器3與物理場(chǎng)發(fā)生器2連接，物理場(chǎng)傳輸器3設(shè)置在被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4周圍，物理場(chǎng)發(fā)生器2結(jié)合物理場(chǎng)傳輸器3可以改變被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)如溫度、磁場(chǎng)或頻率等。被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4連通流體介質(zhì)的管道，用于儲(chǔ)存或輸送流體介質(zhì)。物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器5用于檢測(cè)被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4中被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)，并將檢測(cè)得到的物理場(chǎng)參數(shù)輸出給中央控制器I。介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7分別安裝在被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4的流體介質(zhì)流入和流出管道上，用于控制流體介質(zhì)的流動(dòng)和停止。
[0022]可根據(jù)流體介質(zhì)的流量、運(yùn)行工況確定被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4、物理場(chǎng)發(fā)生器2和物理場(chǎng)傳輸器3的規(guī)格。本實(shí)用新型殺滅軍團(tuán)菌的處理步驟為:(I)按流體介質(zhì)的性質(zhì)、運(yùn)行工況確定流體介質(zhì)中殺滅軍團(tuán)菌的物理場(chǎng)控制參數(shù)，將該控制參數(shù)(如溫度、磁場(chǎng)等)預(yù)先輸入到中央控制器I中；
[0023](2)中央控制器I控制物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器5開啟；
[0024](3)物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器5持續(xù)檢測(cè)被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4中被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)，并將得到的物理場(chǎng)參數(shù)值輸送至中央控制器I ;
[0025](4)中央控制器I將接收到的物理場(chǎng)參數(shù)值與預(yù)先設(shè)定的控制參數(shù)比較，當(dāng)被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)不符合控制參數(shù)時(shí)進(jìn)入步驟(5)，否則返回步驟(3)；
[0026](5)中央控制器I同時(shí)向介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7輸出介質(zhì)停止流動(dòng)信號(hào)，并控制物理場(chǎng)發(fā)生器2開啟，介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7停止介質(zhì)流動(dòng)，使被處理介質(zhì)儲(chǔ)存在被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4內(nèi)，物理場(chǎng)發(fā)生器2和物理場(chǎng)傳輸器3改變被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)，直到被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)符合控制參數(shù)時(shí)，中央控制器I同時(shí)向介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7輸出介質(zhì)流動(dòng)信號(hào)，并控制物理場(chǎng)發(fā)生器2關(guān)閉，介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7開啟介質(zhì)流動(dòng)。
[0027]重復(fù)執(zhí)行上述過程，最終將流經(jīng)被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4的被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)均控制在軍團(tuán)菌不能存活的限制范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)對(duì)流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌殺滅的功能。整個(gè)處理過程中流體介質(zhì)處于全封閉狀態(tài)，無次生污染排放。
[0028]本實(shí)用新型實(shí)施例一:物理場(chǎng)發(fā)生器2為能將電場(chǎng)轉(zhuǎn)換成高頻磁場(chǎng)的電場(chǎng)磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換發(fā)生器。被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4為保溫型防腐儲(chǔ)存器。物理場(chǎng)傳輸器3為高溫云母線，云母線纏繞在保溫型防腐儲(chǔ)存器周圍，并且云母線的兩端分別接在電場(chǎng)磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換發(fā)生器的輸出端。依照上述步驟(I)、(2)、(3)、(4)操作，當(dāng)被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)不符合控制參數(shù)時(shí)，中央控制器I同時(shí)向介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7輸出介質(zhì)停止流動(dòng)信號(hào)，并控制電場(chǎng)磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換發(fā)生器開啟，介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7停止介質(zhì)流動(dòng)，使被處理介質(zhì)儲(chǔ)存在保溫型防腐儲(chǔ)存器內(nèi)，電場(chǎng)磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換發(fā)生器和高溫云母線共同改變儲(chǔ)存器內(nèi)的磁場(chǎng)環(huán)境和被處理介質(zhì)溫度，直到儲(chǔ)存器內(nèi)的磁場(chǎng)環(huán)境和被處理介質(zhì)溫度符合控制參數(shù)時(shí)，中央控制器I同時(shí)向介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7輸出介質(zhì)流動(dòng)信號(hào)，并控制電場(chǎng)磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換發(fā)生器關(guān)閉，介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7開啟介質(zhì)流動(dòng)。重復(fù)執(zhí)行上述過程，實(shí)現(xiàn)殺滅被處理介質(zhì)中的軍團(tuán)菌。
[0029]本實(shí)用新型實(shí)施例二:物理場(chǎng)發(fā)生器2為高溫?zé)崦捷斔推鳎鐭崦奖眉訜崦焦芫W(wǎng)。被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4為保溫型防腐儲(chǔ)存器。物理場(chǎng)傳輸器3為換熱器。物理場(chǎng)發(fā)生器2內(nèi)的高溫?zé)崦酵ㄟ^換熱器將被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4內(nèi)的被處理介質(zhì)升溫，實(shí)現(xiàn)殺滅軍團(tuán)菌的功能，其余步驟同實(shí)施例一，不再敘述。
[0030]當(dāng)然，物理場(chǎng)發(fā)生器2也可以直接設(shè)置在被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4周圍，直接改變被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器4內(nèi)被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)如溫度、磁場(chǎng)或頻率等。
[0031]本實(shí)用新型殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置具有產(chǎn)生與傳輸被處理流體介質(zhì)的物理場(chǎng)、改變物理場(chǎng)參數(shù)、設(shè)定物理場(chǎng)參數(shù)、檢測(cè)與反饋及自動(dòng)執(zhí)行功能。
[0032]本實(shí)用新型通過中央控制器1、物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器5、物理場(chǎng)發(fā)生器2、物理場(chǎng)傳輸器3、介質(zhì)流入執(zhí)行器6和介質(zhì)流出執(zhí)行器7，實(shí)現(xiàn)在線對(duì)被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)，改變軍團(tuán)菌在被處理介質(zhì)中的生存和繁殖環(huán)境，不僅實(shí)現(xiàn)了流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌100%殺滅，而且不會(huì)發(fā)生軍團(tuán)菌病菌的轉(zhuǎn)移以及產(chǎn)生其它次生的污染和危害，確保流體介質(zhì)本身及周圍環(huán)境的衛(wèi)生安全。
[0033]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容做出些許簡(jiǎn)單修改、等同變化或修飾，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，其特征在于，包括安裝于流體介質(zhì)輸送管道上的被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器、用于改變被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器內(nèi)被處理介質(zhì)物理場(chǎng)參數(shù)的物理場(chǎng)發(fā)生器、用于檢測(cè)被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器內(nèi)被處理介質(zhì)中物理場(chǎng)參數(shù)的物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器、分別安裝于所述被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器流入和流出管道上的介質(zhì)流入執(zhí)行器和介質(zhì)流出執(zhí)行器、以及中央控制器，所述中央控制器分別與物理場(chǎng)發(fā)生器、物理場(chǎng)參數(shù)檢測(cè)器、介質(zhì)流入執(zhí)行器和介質(zhì)流出執(zhí)行器通訊連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，其特征在于，所述物理場(chǎng)發(fā)生器還連接物理場(chǎng)傳輸器，物理場(chǎng)傳輸器設(shè)置在所述被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器周圍，所述物理場(chǎng)發(fā)生器結(jié)合物理場(chǎng)傳輸器改變被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器內(nèi)被處理介質(zhì)的物理場(chǎng)參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，其特征在于，所述物理場(chǎng)發(fā)生器為電場(chǎng)磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換發(fā)生器，所述物理場(chǎng)傳輸器為高溫云母線，云母線的兩端分別接在電場(chǎng)磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換發(fā)生器的輸出端，且所述云母線纏繞在所述被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器周圍。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，其特征在于，所述物理場(chǎng)發(fā)生器為高溫?zé)崦捷斔推鳎鑫锢韴?chǎng)傳輸器為換熱器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，其特征在于，所述中央控制器為可編程邏輯控制器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，其特征在于，所述流體介質(zhì)為水或空氣。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，其特征在于，所述物理場(chǎng)參數(shù)為軍團(tuán)菌在被處理介質(zhì)中的生存和繁殖環(huán)境的物理場(chǎng)溫度、磁場(chǎng)或頻率參數(shù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的殺滅流體介質(zhì)中軍團(tuán)菌的裝置，其特征在于，所述被處理介質(zhì)儲(chǔ)存器為保溫型防腐儲(chǔ)存器。
【文檔編號(hào)】A61L9/16GK203976454SQ201420356978
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年6月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月30日
【發(fā)明者】汪傳發(fā) 申請(qǐng)人:汪傳發(fā)